• 首页
  • 公司简介
  • 产品中心
    • DRAM(行动内存)
      • DDR4 SDRAM
      • DDR3 SDRAM
      • Module
      • LPDDR4
      • LPDDR3
      • GDDR6 SDRAM
      • GDDR5 SDRAM
      NAND(闪存)
      • UFS
      • eMMC
      • Raw NAND

      Multichip Package(多芯片封装)
      SSD (固态硬盘)
      • Enterprise SSD
      • Client SSD

      CMOS Image Sensor(图像传感器)
  • 新闻中心
  • 技术支持
  • 联系我们

SK hynix 中国区授权代理

  1. 新闻中心
  • 新旧制程转换下短期LPDDR4X供应缺口难填,原厂涨价高预期将令供需双方谈判艰巨
    随着部分原厂加速旧制程生产线转向先进节点,1x/1ynm旧制程DRAM晶圆投片骤减,LPDDR4X整体供应受限。
  • DDR6已进入平台验证阶段,预计2027年开启商用
    全球内存行业正式启动下一代DRAM标准"DDR6"的市场化进程。这项旨在突破DDR5物理极限的新技术,将为高带宽计算需求提供全新内存平台解决方案。
  • SK海力士大连公司增资至28亿美元,并新增技术及经营负责人职务
    近日,爱思开海力士半导体(大连)有限公司发生工商变更。注册资本由26亿美元增至28亿美元(205亿元人民币)。
  • vivo:生成式AI成为智能手机增量市场关键推力仍需5年时间
    vivo执行副总裁、首席运营官、兼vivo中央研究院院长胡柏山近日表示,AI手机的体验是渐进式,目前仍难以成为智能手机全新的增量推力,要成为智能手机全新增量市场关键推力仍需要约5年时间。
  • SK海力士开发出适用于AI数据中心的高容量SSD‘PS1012 U.2’
    SK海力士宣布,开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘(SSD,Solid State Drive)产品‘PS1012 U.2*(以下简称PS1012)’。
  • SK海力士和三星联手,加速LPDDR6-PIM产品标准化
    据韩媒报道,三星电子和 SK 海力士正在合作探索“LPDDR6-PIM”产品的标准化,双方合作旨在加快人工智能 (AI) 专用低功耗存储器的标准化,与设备上人工智能(在单个设备内处理人工智能)的技术转变保持一致。双方已确定有必要结成联盟,以顺应这一趋势将下一代内存商业化。
  • 部分原厂减产,LPDDR4X首当其冲!
    存储市场经历近一年上涨行情,多家原厂今年以来业绩屡创新高,而成绩背后,不同产品线似乎站上十字路口,部分市场供应过剩、客户备货动能不足等问题接踵而来……
  • Q3全球存储相关资本支出环比增长34%,Q4将继续增长27%
    国际半导体产业协会(SEMI)最新数据显示,第3季全球IC销售额环比增长12%,动能主要来自于季节性因素和AI数据中心投资的强劲需求,这一成长趋势可望延续至第4季,预期第4季全球IC销售额将较第3季继续成长10%。
  • SK海力士宣布量产321层NAND闪存,明年上半年开始供应
    SK海力士21日宣布,开始量产全球最高的321层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存。
  • SK海力士考虑引进ASML High NA EUV设备
    据路透社报道,SK海力士技术长Seon-yong Cha 14日在荷兰举行的ASML投资人日上通过预录影片表示,正考虑引进造价4亿美元的High NA EUV光刻设备,生产下一代存储芯片。
© 2019 超联科技集团有限公司 版权所有